克日
，南宫NG娱乐光电研究院基于宽禁带半导体碳化硅手艺
，全新推出“NS62m SiC MOSFET功率？樾缕贰
，可应用于古板工控、储能逆变、UPS、充电桩、轨道交通和其他功率变换领域。

在“双碳”目的配景下
，我国电力系统将向以新能源为主体的新型电力系统转型
，储能作为无邪调理电源在新型电力系统中肩负重任。而储能逆变器是储能系统中要害的一环
，可控制储能电池组充电和放电历程
，在提高储能系统的效率及降低本钱方面起着主要作用。

面向储能逆变器市场
，南宫NG娱乐光电NS62m功率？樾缕芬劳蠸iC MOSFET芯片的优异性能
，提高了功率？榈牡缌髅芏纫约翱仄德
，降低了开关消耗和导通消耗
，镌汰了无源器件的使用和冷却装置的尺寸
，最终抵达降低系统本钱、提升系统效率的目的。

兼容无邪性能佳

南宫NG娱乐光电NS62m功率？榻幽杀曜夹头庾
，半桥拓扑设计
，内置NTC热敏电阻
，可实现温度监控；接纳62mm尺寸标准基板和接口
，可兼容行业内各大主流产品
，实现快速替换使用；具有150℃的一连事情温度(Tvjop)和优异的温度循环能力
，器件可靠性体现卓越。

全桥拓扑可并联
NS62m功率？橐园肭诺缏方峁褂τ糜谀姹淦髦。在现实应用中
，一样平常会以2个或3个NS62m功率？椴⒘男问阶槌傻ハ嗳磐仄嘶蛉嗲磐仄
，将直流电酿成频率、幅值可调的交流电
，实现逆变功效；贜S62m功率？槟赟iC MOSFET的体二极管具有精彩的开关特征和反向恢复性能
，因此在无需特殊搭配二极管器件
，更可知足大都场景下的续流要求。

如图中橙色框图部分所示
，每个框图代表一个NS62m功率？
，此图为2个NS62m功率？椴⒘男问阶槌傻ハ嗳磐仄。

参数比照见真章
NS62m功率？樵谑虑槭笨傻执锔叩目仄德省⒏偷目叵
，同时
，可资助变换器系统效率的提升和散热结组本钱的降低。

凭证实验数据可得
，与市场一律电流规格的产品比照
，NS62m功率？槎卣骺ㄑ映偈奔滹蕴79纳秒；上升时间镌汰42纳秒；关断延迟时间镌汰468纳秒？粝慕档82%
，关断消耗降低92%
，整体开关消耗体现优异。

产品富厚因需至
针对古板工控、储能逆变、充电桩等应用领域的需求
，南宫NG娱乐光电NS62m SiC MOSFET？橄盗行秃鸥缓
，可供选择。依托南宫NG娱乐光电先进的第三代半导体器件生产线
，公司可响应差别封装及规格的SiC功率？槎ㄖ瓶⑿枨
，为客户提供高质量的定制化产品效劳。

现在
，南宫NG娱乐光电正加速深入第三代半导体赛道
，以自主立异为驱动
，起劲攻克手艺难关
，加速科技效果转化
，推动产品迭代更新
，为第三代半导体工业化高质量生长注入源源一直的新活力。