立异赋能新征程
，南宫NG娱乐光电第三代半导体赛道再添“新猛将”！克日
，公司最新推出了高品质的SiC？榧癎aN器件新品
，并对SiC功率分立器件举行了新升级
，为第三代半导体工业生长注入新活力！

新产品

SiC？椤aN器件、SiC功率分立器件齐上新

SiC？橄盗行缕肥追

针对充电桩、UPS不中止电源等工业类领域
，对标海内外行业龙头
，南宫NG娱乐光电最新推出的SiC功率？椴钒ㄓNS34m、NS62m、NSECO以及NSEAS系列的封装
，拓扑结构涵盖半桥、全桥、三相桥以及CIB
，？楣娓窳1200V电压品级
，20A-80A的电流规模
，可依据市场电路系统的输入输出要求和本钱等因素的考量
，选择差别拓扑结构的功率？
，并快速举行应用替换。

GaN器件新品上线

瞄准快充市场
，南宫NG娱乐光电最新推出E-mode的 650V/10A GaN-DFN5*6 GaN器件
，BVds>650V
，Rdson<150mΩ
，性能稳固抵达行业器件水平；器件可适用市面上100W以下的充电头的应用。

SiC功率分立器件全新升级

南宫NG娱乐光电对SiC功率分立器件产品举行优化升级
，完成了TO-247、TO-220、TO-252、TO-263、DFN5*6五种优势封装结构的开发。该产品以TO系列为主
，现在已建设主流650V系列与1200V系列SiC MOSFET和SiC SBD两个产品系列
，可应用于光伏逆变、工业电源、新能源汽车、充电桩、轨道交通及智能电网等领域的电力转换装置。其中1200V 40A SiC MOSFET
，Vth开启电压低于2.0V
，Rdson开通消耗小于50mΩ。

新产线

工业化历程周全加速

为知足终端应用市场的需求
，南宫NG娱乐光电全力加码对第三代半导体的结构
，现在已形成以SiC和GaN为主营营业的第三代半导体产品系列
，包括SiC功率分立器件、SiC功率？椤aN器件。其中
，SiC？榧癎aN器件新品集生产、测试、可靠性验证测试一体的实验线已投入生产运作
，可迅速对接客户个性化的需求；SiC功率分立器件产品已完成了多项可靠性验证与详细应用端实测工况的评估
，产线已投入使用
，并完成了多个相助商的试产订单。

新蓝海

产品系列一连富厚

在应用升级和政策驱动的双重发动下
，第三代半导体工业一直是备受关注的主要生长偏向。南宫NG娱乐光电驻足市场
，聚焦领域热门
，一直富厚产品线路
，妄想于今年推出超薄型SiC内绝缘系列分立器件
，产品的耐压能力、散热能力等将获得进一步的提升
，可更好地知足客户对器件内部绝缘的严苛需求。另一方面
，南宫NG娱乐光电也将于今年陆续推出E-mode的650V/15A
，Cascode的650V/12A等差别型号的GaN器件产品
，为客户提供定制化手艺解决计划
，进一步知足客户多样化的需求。

抢抓“十四五”生长新机缘
，接下来
，南宫NG娱乐光电将一连加大第三代半导体的研究开发和手艺效果转化
，起劲打造具备高可靠性、高品质优势的“三代半功率器件封测企业”！