继1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二极管）器件获AEC-Q101车规级认证后，克日，南宫NG娱乐光电开发的1200V/80mΩ SiC-MOSFET（碳化硅-场效应管）器件也乐成获得了AEC-Q101车规级认证并通过高压960V H3TRB （HV-H3TRB）可靠性审核，使公司成为海内少数SiC功率分立器件产品通过双重审核的厂商之一
。

AEC-Q101 是车规元器件主要的认证标准之一
。关于1200V耐压器件，AEC-Q101在H3TRB（高温高湿反偏试验）审核标准中耐压通常为100V
。而在HV-H3TRB（高压高温高湿反偏试验）审核中，1200V耐压器件的耐压提高到960V，这对器件的设计、制造及封装手艺提出了更严苛的要求，因而通过HV-H3TRB可靠性验证，意味着功率器件在极端运行情形下仍有优良耐受能力及使用寿命
。目今，获得AEC-Q101车规级认证并通过HV-H3TRB可靠性审核逐渐成为各大主流汽车厂家对高可靠性功率器件的通用要求
。

聚焦SiC-MOSFET器件性能的优化升级，南宫NG娱乐光电充分验展领先的封装手艺优势，本次的车规器件接纳了自主研发的南宫NG娱乐NSiC-KS封装手艺，可靠性和电性能优势显着：

▊可靠性方面，器件以带辅助源极管脚的TO-247-4L作为封装形式，实现了在开关消耗等方面的立异突破，有用镌汰器件的发热量，使得器件的可靠性和稳固性显著提升，确保器件在卑劣的情形下仍能稳固运行，并坚持长寿命
。

▊电性能方面，接纳NSiC-KS封装的SiC-MOSFET器件，因阻止了驱动回路和功率回路共用源极线路，实现了这两个回路的解耦，器件的开关消耗、开通消耗均显着降低，开关频率更快，寄生电感与误开启危害更低
。

为知足市场多样化需求，近年来，南宫NG娱乐光电起劲推进功率分立器件封装产品的优化升级，并完成了TO-247、TO-220、TO-252、TO-263及DFN贴片类优势封装结构的开发
。现在，公司已拥有主流电压规格650V与1200V平台的SiC-MOSFET和SiC-SBD两大产品系列，可普遍应用于光伏逆变、工业电源、新能源汽车、充电桩、轨道交通及智能电网等领域的电力转换装置
。

依托富厚的半导体封装履历、严酷的质量把控标准、先进的功率器件生产线以及履历富厚的专业手艺人才步队，南宫NG娱乐光电可凭证客户需求提供高性能、高可靠性、高品质的封装产品及手艺解决计划
。