克日，南宫NG娱乐光电开发的1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二极管）器件乐成通过第三方权威检测机构可靠性验证，并获得AEC-Q101车规级认证。这标记着南宫NG娱乐光电第三代半导体功率器件产品从工业领域向新能源汽车领域迈出坚实程序。

提升性能，做实高品质产品

通过认证的南宫NG娱乐光电SiC-SBD器件接纳TO-247-2L封装形式,在长达1000小时的高温、高湿等卑劣情形下验证，仍能坚持正常稳固的事情状态，可更好地顺应重大多变的车载应用情形，具备高度的可靠性、清静性和稳固性。

别的，相比古板的硅基二极管产品，SiC-SBD器件在高耐压、高导热、低消耗等性能方面体现更精彩，并且拥有快速的恢复时间，可以提高开关速率，减小磁性元件和其它无源元件的尺寸，更节约空间与重量，可适配尺寸较小的终端产品，适用于新能源电动汽车的车载充电机、控制系统以及汽车充电桩电路等场景。

公司SiC-SBD产品应用场景示意图

拓展应用，推进三代半“上车”

随着新一轮科技革命和工业厘革加速演进，半导体新兴应用领域生长迅猛。第三代半导体作为南宫NG娱乐光电前瞻结构的主要偏向之一，在已往一年里，公司面向SiC（碳化硅）及GaN（氮化镓）开发的系列新产品已陆续问世，如应用于光伏逆变、储能、充电桩等场景的NSiC-KS系列产品；应用于太阳能发电、电网传输、风力发电等领域的NS62m功率？；应用于照明及大功率驱动市场的GaN-IC器件等，已逐渐形制品类富厚、品质上乘的产品结构，并与多家着名厂商建设优异的相助关系。